بررسی اثر ولتاژ گیت روی ترابرد الکترونی از طریق اتصالات جانبی بین دو نانو لوله کربنی موازی

ترابرد کوانتومی در سرتاسر ناحیه ی اتصال بین دو نانولوله ی کربنی تک دیواره ی زیگزاگ که با پیوندهای بین لوله ای به هم متصل شده اند ، با الگوی بستگی قوی ، روش تابع گرین و فرمول لاندائور بررسی شده است ، محاسبات عددی انجام شده نشان می دهند با افزایش شدت جفت شدگی بین نانولوله های زیگزاگ فلزی رسانندگی به صورت نوسانی تغییر می کند که با نتایج آزمایش های انجام شده با نانولوله های به هم فشرده توافق دارند ، همچنین با افزایش طول جفت شدگی (تعداد سلول های واحد جفت شده درناحیه ی اتصال) رسانندگی کوانتومی سریعتر تغییر می کند و رسانندگی الکتریکی در ناحیه ی اتصال بین دو نانولوله با شعاع کمتر ، سریعتر نوسان می نماید. با محاسبه ی چگالی حالت ها (dos) معلوم شد ، چگالی حالت ها به طور نوسانی تغییر می کند و دامنه نوسان ها با رسانندگی کوانتومی نسبت عکس دارد. با افزایش شیب تغییرات چگالی حالت ها با تغییر ولتاژ گیت، رسانندگی کوانتومی کاهش می یابد و با کند شدن تغییرات چگالی حالت ها با تغییر ولتاژ گیت ، رسانندگی کوانتومی افزایش می یابد . نوسان های چگالی حالت ها نشان دهنده ی جایگزیده شدن و جایگزیده نشدن الکترون ها در ناحیه ی اتصال بین دو نانولوله ی کربنی است.